SiC芯片需求增加，为了SiC，博世买了一个晶圆厂

4月26日，博世官网发布公告，公司计划收购位于加利福尼亚州罗斯维尔的美国芯片制造商 TSI Semiconductors 的资产。该公司拥有 250 名员工，是专用集成电路 (ASIC) 的代工厂。目前，它主要开发和生产 200mm硅晶圆上的大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学行业的应用。 

据悉，博世和 TSI 半导体已达成协议，暂未披露交易的任何财务细节。此外，该交易有待美国监管部门的批准。

在接下来的几年里，博世打算在罗斯维尔工厂投资超过 15 亿美元，并将 TSI 半导体制造设施转变为最先进的工艺。从 2026 年开始，将在基于创新材料碳化硅 (SiC) 的 200 mm(8吋)晶圆上生产第一批芯片。

汽车行业对芯片的需求仍然很高。到 2025 年，博世预计每辆新车平均会集成 25 颗芯片。碳化硅芯片市场也在继续快速增长——平均每年增长 30%。这种增长的主要驱动力是全球电动汽车的繁荣和发展。在电动汽车中，SiC 芯片可减少高达 50% 的能源消耗，从而实现更远的续航里程和更高效的充电。安装在这些车辆的电力电子设备中，它们确保车辆一次充电可以行驶更长的距离——平均而言，可能的行驶距离比硅基芯片多 6%。

基于此，博世正在通过SiC芯片扩展其半导体业务，并将在 2030 年底之前显着扩展其全球 SiC 芯片产品组合。

博世于2019年10月在德国正式宣布其开始碳化硅相关业务，并于2021年底起就在德国罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅芯片，以应用于电动和混动汽车的电力电子器件中。目前，针对该工厂规划已经过多次修改，投资金额和产能不断提升。

2022年7月，博世宣布，到2026年前，将在半导体业务上投资30亿欧元。作为投资的一部分，博世将投入超过1.7亿欧元在德国罗伊特林根和德累斯顿建立两个全新的芯片研发中心。其中，罗伊特林根的碳化硅洁净室空间将从大约35000平方米扩大到44000多平方米，目的是开发和制造碳化硅芯片，目标产能是数亿颗。

同时，博世还计划在未来一年内再投入2.5亿欧元，在德累斯顿晶圆厂增设3000平方米的无尘车间。

博世管理委员会主席 Stefan Hartung 博士表示："通过收购TSI Semiconductors，我们正在一个重要的销售市场建立 SiC 芯片的制造能力，同时也在全球范围内增加我们的半导体制造。 罗斯维尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的 SiC 芯片。"罗斯维尔的新工厂将加强博世的国际半导体制造网络。从 2026 年开始，在重组之后，首批 SiC 芯片将在大约 10,000 平方米洁净室中将在 200 毫米晶圆上生产首批 SiC 芯片。早期，博世投资于碳化硅芯片的研发和生产。自 2021 年以来，博世一直在使用自己专有的、高度复杂的工艺在其位于斯图加特（Stuttgart）附近的罗伊特林根（Reutlingen）工厂大规模生产碳化硅芯片。未来，罗伊特林根工厂还将在 200 mm晶圆上生产芯片。到 2025 年底，博世将把罗伊特林根的洁净室面积从大约 35,000 平方米扩大到 44,000 多平方米。博世管理委员会成员兼移动解决方案业务部门主席 Markus Heyn 博士表示："SiC 芯片是电动汽车的关键部件。