公司设计并生产的SiC 特种MOSFET主要考虑高温能力更强、极致缩小寄生电容、抗辐照能力改善等特种性能，主要应用于公司自身的特种电源系统或对外出售中。以高温能力为例，常规SiC MOSFET的最高结温为175℃，为了将MOS应用到200℃以上的电源系统中，公司至少解决了以下几个SIC MOS在高温情况下的关键问题：1、高温情况下的栅氧漏电流大幅增加，2、高温下非晶态的隔离氧化层软化问题，3、高温下MOS阈值电压的大幅下降问题，4、高温下阻断电压大幅下降问题，5、高温下漂移区电阻增加、沟道电阻降低等。为了解决这些问题，公司在栅氧层厚度、低K值的隔离介质层材料、P区离子注入浓度、源极金属化、封装等层面下了很大的功夫。公司MOS的结温大幅提升，同时在极高温情况下的温漂更小。目前，公司的碳化硅特种芯片也接受定制。